|
 | |  |
| Ремонт оперативной памяти, для хранения разряда (бита либо трита) используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны (один конденсатор и один транзистор дешевле некоторых транзисторов) и во-вторых, компактности (там, где в SRAM размещается один триггер, то имеется один бит, можно уместить 8 конденсаторов и транзисторов). Имеется и свои минусы. Во-первых, память на источнике конденсаторов работает медленнее, потому, что ежели в SRAM изменение напряжения на входе триггера зараз же приводит к изменению его состояния, то для того для того чтоб поставить в единицу один разряд (один бит) памяти на источнике конденсатора, нынешний конденсатор нужно зарядить, напротив, для того для того чтоб разряд поставить в ноль, соответственно, разрядить. Напротив, это гораздо свыше длительные операции (в десять и свыше раз), чем переключение триггера, даже ежели конденсатор имеет сильно небольшие размеры. Второй существенный — минус конденсаторы склонны «к стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем менее их ёмкость. За то, что разряды в ней хранятся не статически, «напротив, стекают» динамически во времени, память на конденсаторах получила своё наименование динамическая память. В связи с этим обстоятельством, дабы не утратить содержимое памяти, заряд конденсаторов для воссоздания «необходимо регенерировать» спустя определённый интервал времени. Регенерация выполняется центральным микропроцессором в противном случае контроллером памяти, за определённое численность тактов считывания при адресации по строкам. Так как для регенерации памяти периодично приостанавливаются все операции с памятью, это значительно снижает производительность данного вида ОЗУ. ОЗУ, которое не необходимо регенерировать (и в большинстве случаев схемотехнически собранное на триггерах), именуется статической памятью с произвольным доступом в противном случае обыкновенный статической памятью. Достоинство сего вида — памяти скорость. Потому, что триггеры собраны на вентилях, напротив, время отсрочки вентиля изрядно немного, то и переключение состояния триггера происходит изрядно быстро. Текущий вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, команда транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже ежели они вытравляются миллионами на одной кремниевой подложке. Окромя того, команда транзисторов занимает гораздо более места, потому, что промеж транзисторами, которые формируют триггер, обязаны быть вытравлены линии связи. Используется для коалиции сверхбыстрого ОЗУ, критичного к скорости работы. | |
 | |  |
|
|
Главная